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VS-32CTQ025PbF, VS-32CTQ025-N3, VS-32CTQ030PbF, VS-32CTQ030-N3
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 11-Oct-11
4
Document Number: 94202
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Fig. 5 - Maximum Allowable Case Temperature vs. Average
Forward Current
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 7 - Maximum Non-Re
petitive Surge Current
Fig. 8 - Unclamped Inductive Test Circuit
Note
(1)
Formula used: TC
= T
J
- (Pd + Pd
REV) x RthJC;
Pd = Forward power loss = IF(AV)
x V
FM
at (I
F(AV)/D) (see fig. 6);
PdREV
= Inverse power loss = V
R1
x I
R
(1 - D); I
R
at V
R1
= 80 % rated V
R
80
0255
10
15
20
0255101520
IF(AV)
- Average Forward Current (A)
Allowable Case Temperature (°C)
100
2
DC
D = 0.50
130DC
6
D = 0.75
RMS limit
120
16010
D = 0.20
150D = 0.25
90See note (1)
11080 % rated VR
applied
4
8
140D = 0.33
Square wave (D = 0.50)
0
Average Power Loss (W)
IF(AV)
- Average Forward Current (A)
1000
100 1000
tp
- Square Wave Pulse Duration (μs)
I
FSM
- Non-Repetitive Surge Current (A)
100
10 000
10
At any rated load condition
and with rated VRRM
applied
following surge
Current
monitor
High-speed
switch
D.U.T.
Rg
= 25
Ω
+
Vd
= 25
V
Freewheel
diode
L
IRFP460
40HFL40S02
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